6月13日上午，台湾集成电路公司(TSMC)技术经理廖文翔来公司交流，为学院师生做了题为“FinFET晶体管组件及其制程技术介绍”的报告。

报告循序渐进，深入浅出地先针对MOSFET前瞻性组件及技术(< 65nm)，从基础之cmos操作原理及其制程技术开始，然后深入介绍soi (silicon on insulator)晶体管组件之操作原理, 最后进入finfet晶体管组件之原理和实务介绍。同时提及finfet再搭配hi-k/metal gate，strained-si以及sige-channel等等前瞻性组件及其制程技术的功能性再增强的介绍。

廖文翔于1996年获台湾大学电机工程研究所固态电子组工学博士学位。2005年和2006年先后受聘于台湾联合大学和台湾清华大学担任顾问及兼职教授，2010年受聘于台湾交通大学半导体人才培训中心 担任顾问兼任教授。2010年进入伟德BETVlCTOR1946物理与电子科学学院担任楚天学者讲座教授。多年来一直从事集成电路半导体芯片制程和测试封装方面的研究工作，在IEEE和SCI收录的众多国内外重要期刊上发表论文30余篇，包括《IEEE-EDL》《IEEE-TED》和《Applied Physics Letters》等，在国际学术会议上发表论文60篇。作为发明人申请美国发明专利16项、台湾发明专利20项、中国国家发明专利4项。曾多次担任国际电子电机学会（IEEE）学术论文评审。1999年获得世界先进集成电路公司颁发的制程技术研发杰出奖，2002年获华邦电子股份有限公司颁发专利提案第一名的“发明王”奖，2004年获联华电子股份有限公司颁发的荣升奖。